請問各位先進，在作Switching Power Supply時，
使用的開關也就是Power MOSFET的燒毀原因有哪幾種以及會如何的壞掉呢？
就我知道的是超過耐流範圍時會炸掉，超過耐壓時會GDS端都短路，
那GD端短路時是何種原因使它壞掉呢？
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◆ From: 61.228.108.210
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發信人: [email protected] (Concentrate), 看板: Electronics
標 題: Re: 請問有關Power MOSFET的事
發信站: 台灣科大電子BBS (Mon Jun 20 23:31:10 2005)
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※ 引述《golen (Concentrate)》之銘言：
> 請問各位先進，在作Switching Power Supply時，
> 使用的開關也就是Power MOSFET的燒毀原因有哪幾種以及會如何的壞掉呢？
> 就我知道的是超過耐流範圍時會炸掉，超過耐壓時會GDS端都短路，
> 那GD端短路時是何種原因使它壞掉呢？
補充一點，我是使用MIC4424驅動，而4424也炸掉了...有火花的那種...
請問是什麼原因呢？
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※ Origin: 台灣科大電子站 <bbs.et.ntust.edu.tw>
◆ From: 61.228.108.210
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作者: abulls (貝殼理論的迷思) 看板: Electronics
標題: Re: 請問有關Power MOSFET的事
時間: Tue Jun 21 10:13:28 2005
※ 引述《[email protected] (Concentrate)》之銘言：
你是否可加一顆 fast recovery diode試試看!
: 請問各位先進，在作Switching Power Supply時，
: 使用的開關也就是Power MOSFET的燒毀原因有哪幾種以及會如何的壞掉呢？
: 就我知道的是超過耐流範圍時會炸掉，超過耐壓時會GDS端都短路，
: 那GD端短路時是何種原因使它壞掉呢？
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.123.124.17
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作者: jubel (愛落紅塵心已死) 看板: Electronics
標題: Re: 請問有關Power MOSFET的事
時間: Tue Jun 21 13:46:11 2005
※ 引述《[email protected] (Concentrate)》之銘言：
: 請問各位先進，在作Switching Power Supply時，
: 使用的開關也就是Power MOSFET的燒毀原因有哪幾種以及會如何的壞掉呢？
: 就我知道的是超過耐流範圍時會炸掉，超過耐壓時會GDS端都短路，
: 那GD端短路時是何種原因使它壞掉呢？
動力型態是什麼？
如果是半橋或全橋的話
注意一下是否是duty太大
同時關閉的時間太短導致正負短路而過電流爆掉
如果不是的話
拿示波器看峰對峰值 (注意共地問題)
看看是否是峰值電壓或電流太高打穿
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◆ From: 59.120.113.157
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發信人: [email protected] (Go Bad Boys !!!), 看板: Electronics
標 題: Re: 請問有關Power MOSFET的事
發信站: 芭樂的故鄉 (Tue Jun 21 20:25:15 2005)
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※ 引述《[email protected] (愛落紅塵心已死)》之銘言：
> ※ 引述《[email protected] (Concentrate)》之銘言：
> : 請問各位先進，在作Switching Power Supply時，
> : 使用的開關也就是Power MOSFET的燒毀原因有哪幾種以及會如何的壞掉呢？
> : 就我知道的是超過耐流範圍時會炸掉，超過耐壓時會GDS端都短路，
> : 那GD端短路時是何種原因使它壞掉呢？
> 拿示波器看峰對峰值 (注意共地問題)
> 看看是否是峰值電壓或電流太高打穿
我曾經遇過,電壓電流都ok,但功率太大,也會燒!
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發信人: [email protected] (動感光波), 看板: Electronics
標 題: Re: 請問有關Power MOSFET的事
發信站: I-Shou University BBS (Tue Jun 21 21:38:27 2005)
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※ 引述《[email protected] (Go Bad Boys !!!)》之銘言：
> ※ 引述《[email protected] (愛落紅塵心已死)》之銘言：
> > 拿示波器看峰對峰值 (注意共地問題)
> > 看看是否是峰值電壓或電流太高打穿
> 我曾經遇過,電壓電流都ok,但功率太大,也會燒!
線路中的雜散電容太多...產生突波電壓
怕燒掉就在MOS兩端做RC snubber緩衝電路吧
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