※ 引述《[email protected] (前進必伴隨失去)》之銘言：
: 一般而言 , 我們要量測subthreshold current ,
: 都會故意給電晶體在weak inversion狀態 ,
: 但是 , 如果想看的是gate oxide leakage ,
: 如 gate->drain 或 gate->source 的tunnelling current...
: 那麼在hspice當中可以做到嗎 ?
: 或者需要什麼軟體才能模擬 ?
: 常看到國外的paper都可以明確把gate leakage current給量測出來 ...
: 所以才不禁想請問各位先學是否知道方法 ...
model 要有這個參數才模擬的出來,
像在tsmc .13um的model 裡,
就要把mos 寫成有gate leakage的subcircuit才會有這個東西.
umc 的model 就沒有gate leakage的model .
--
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標 題: Re: 想請問一下...hspice可以量測gate leakage cur …
發信站: 綠憶情懷 (Sat Aug 27 14:35:12 2005)
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※ 引述《[email protected] (supeross)》之銘言：
> ※ 引述《[email protected] (前進必伴隨失去)》之銘言：
> : 一般而言 , 我們要量測subthreshold current ,
> : 都會故意給電晶體在weak inversion狀態 ,
> : 但是 , 如果想看的是gate oxide leakage ,
> : 如 gate->drain 或 gate->source 的tunnelling current...
> : 那麼在hspice當中可以做到嗎 ?
> : 或者需要什麼軟體才能模擬 ?
> : 常看到國外的paper都可以明確把gate leakage current給量測出來 ...
> : 所以才不禁想請問各位先學是否知道方法 ...
> model 要有這個參數才模擬的出來,
> 像在tsmc .13um的model 裡,
> 就要把mos 寫成有gate leakage的subcircuit才會有這個東西.
> umc 的model 就沒有gate leakage的model .
抱歉 , 由於對於有gate leakage的subcircuit不是很能理解 ,
所以想再請教一下 ,
有gate leakage的subcircuit是指我們.lib時呼叫特定的mos元件 ?
而某種元件有特別提供gate leakage的量測model ?
還是指 , 當電路連結成某特定形式時 , 可以下參數指令量測 ?
由於目前我只有碰過0.18um的 , 0.13um的 ... 大概要等開學了 = . ="
如果我有些問題問得不是很能切中核心 ,
還請見諒 ... @@"
--
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作者: supeross (supeross) 看板: Electronics
標題: Re: 想請問一下...hspice可以量測gate leakage cur …
時間: Sun Aug 28 00:19:34 2005
※ 引述《[email protected] (前進必伴隨失去)》之銘言：
: ※ 引述《[email protected] (supeross)》之銘言：
: > model 要有這個參數才模擬的出來,
: > 像在tsmc .13um的model 裡,
: > 就要把mos 寫成有gate leakage的subcircuit才會有這個東西.
: > umc 的model 就沒有gate leakage的model .
: 抱歉 , 由於對於有gate leakage的subcircuit不是很能理解 ,
: 所以想再請教一下 ,
: 有gate leakage的subcircuit是指我們.lib時呼叫特定的mos元件 ?
: 而某種元件有特別提供gate leakage的量測model ?
對啊, 在tsmc .13um的model 下就是這樣.
可以只對某幾顆你覺得重要的mos 模擬gate leakage.
: 還是指 , 當電路連結成某特定形式時 , 可以下參數指令量測 ?
: 由於目前我只有碰過0.18um的 , 0.13um的 ... 大概要等開學了 = . ="
: 如果我有些問題問得不是很能切中核心 ,
: 還請見諒 ... @@"
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發信人: [email protected] (前進必伴隨失去), 看板: Electronics
標 題: Re: 想請問一下...hspice可以量測gate leakage cur …
發信站: 綠憶情懷 (Sun Aug 28 03:59:04 2005)
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※ 引述《[email protected] (supeross)》之銘言：
> ※ 引述《[email protected] (前進必伴隨失去)》之銘言：
> : 抱歉 , 由於對於有gate leakage的subcircuit不是很能理解 ,
> : 所以想再請教一下 ,
> : 有gate leakage的subcircuit是指我們.lib時呼叫特定的mos元件 ?
> : 而某種元件有特別提供gate leakage的量測model ?
> 對啊, 在tsmc .13um的model 下就是這樣.
> 可以只對某幾顆你覺得重要的mos 模擬gate leakage.
那麼 , 意思是說 ,
若我想量測A電晶體的gate leakage ,
那麼我就必須把A電晶體呼叫成特定的MOS元件 ,
然後就可以量測gate leakage ?
那 ... 這邊的話 ,
是否是要額外的hspice指令才可以看到 ?
還是只要下 .op ,
就可以在 .lis 檔中 , 自動觀察到A電晶體的gate leakage統計 ?
在這邊十分感謝您的回答 , 謝謝 .
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作者: ihlin () 看板: Electronics
標題: Re: 想請問一下...hspice可以量測gate leakage cur …
時間: Sun Aug 28 05:54:37 2005
※ 引述《supeross (supeross)》之銘言：
: ※ 引述《[email protected] (前進必伴隨失去)》之銘言：
: : 抱歉 , 由於對於有gate leakage的subcircuit不是很能理解 ,
: : 所以想再請教一下 ,
: : 有gate leakage的subcircuit是指我們.lib時呼叫特定的mos元件 ?
: : 而某種元件有特別提供gate leakage的量測model ?
: 對啊, 在tsmc .13um的model 下就是這樣.
: 可以只對某幾顆你覺得重要的mos 模擬gate leakage.
: : 還是指 , 當電路連結成某特定形式時 , 可以下參數指令量測 ?
: : 由於目前我只有碰過0.18um的 , 0.13um的 ... 大概要等開學了 = . ="
: : 如果我有些問題問得不是很能切中核心 ,
: : 還請見諒 ... @@"
請問您有用過TSMC 0.18um RF的製程嗎？
我讀了PDK document後並沒有找到有關gate leakage的說明，
是這個process 沒有做嗎？
--
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標 題: Re: 想請問一下...hspice可以量測gate leakage cur …
發信站: 不良牛牧場 (Sun Aug 28 18:30:59 2005)
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※ 引述《[email protected] ()》之銘言：
: ※ 引述《supeross (supeross)》之銘言：
: : 對啊, 在tsmc .13um的model 下就是這樣.
: : 可以只對某幾顆你覺得重要的mos 模擬gate leakage.
: 請問您有用過TSMC 0.18um RF的製程嗎？
: 我讀了PDK document後並沒有找到有關gate leakage的說明，
: 是這個process 沒有做嗎？
我只知道這製程裡面有Monte Carlo simulation model
查document查了老半天找不到
後來無聊直接把製程檔打開看看
才找到的=.=
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發信人: [email protected] (andy), 看板: Electronics
標 題: Re: 想請問一下...hspice可以量測gate leakage cur …
發信站: 交大資科_BBS (Sun Aug 28 22:13:55 2005)
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==> 在 [email protected] () 的文章中提到:
> ※ 引述《supeross (supeross)》之銘言：
> : 對啊, 在tsmc .13um的model 下就是這樣.
> : 可以只對某幾顆你覺得重要的mos 模擬gate leakage.
> 請問您有用過TSMC 0.18um RF的製程嗎？
0.18um logic & RF
應該只差在 top metal (方便做 電感
只是 lpe能抽出 spiral 電感嗎
而且 q高嗎 ??? )
其他都大同小異
了不起多個 MiM cap
> 我讀了PDK document後並沒有找到有關gate leakage的說明，
> 是這個process 沒有做嗎？
hspice 不是可以使用
lx21
lv19 ..
看Isub Cap..
不過 有些model 不見得會有
gate Leakage 好像 hspice 不能直接看 吧
--
* Origin: ★ 交通大學資訊科學系 BBS ★ <bbs.cis.nctu.edu.tw: 140.113.23.3>
> -------------------------------------------------------------------------- <
作者: ihlin () 看板: Electronics
標題: Re: 想請問一下...hspice可以量測gate leakage cur …
時間: Mon Aug 29 09:59:30 2005
※ 引述《[email protected] (andy)》之銘言：
: ==> 在 [email protected] () 的文章中提到:
: > 請問您有用過TSMC 0.18um RF的製程嗎？
: 0.18um logic & RF
: 應該只差在 top metal (方便做 電感
: 只是 lpe能抽出 spiral 電感嗎
: 而且 q高嗎 ??? )
: 其他都大同小異
: 了不起多個 MiM cap
嗯，的確是有MiM Cap,Metal有六層
我們的設計中不會有電感，就算用的話Q值低也是預期的。
: > 我讀了PDK document後並沒有找到有關gate leakage的說明，
: > 是這個process 沒有做嗎？
: hspice 不是可以使用
: lx21
: lv19 ..
: 看Isub Cap..
喔，我是用Spectre的，不過看Isub這件事倒還沒去試，
待會兒試試看
: 不過 有些model 不見得會有
: gate Leakage 好像 hspice 不能直接看 吧
--
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◆ From: 67.100.81.170
> -------------------------------------------------------------------------- <
作者: supeross (supeross) 看板: Electronics
標題: Re: 想請問一下...hspice可以量測gate leakage cur …
時間: Mon Aug 29 23:52:56 2005
※ 引述《[email protected] (前進必伴隨失去)》之銘言：
: ※ 引述《[email protected] (supeross)》之銘言：
: > 對啊, 在tsmc .13um的model 下就是這樣.
: > 可以只對某幾顆你覺得重要的mos 模擬gate leakage.
: 那麼 , 意思是說 ,
: 若我想量測A電晶體的gate leakage ,
: 那麼我就必須把A電晶體呼叫成特定的MOS元件 ,
: 然後就可以量測gate leakage ?
是的, 呼叫成subcircuit.
前提當然是你要include 有給gate leakage參數的model .
: 那 ... 這邊的話 ,
: 是否是要額外的hspice指令才可以看到 ?
: 還是只要下 .op ,
: 就可以在 .lis 檔中 , 自動觀察到A電晶體的gate leakage統計 ?
: 在這邊十分感謝您的回答 , 謝謝 .
我忘了.lis裡給的operation point 裡面有沒有gate leakage current,
但印象中是沒有,
所以我之前模擬的時候是在gate給voltage source,
直接看voltage source流出來的電流是多少來當作leakage current .
假如要模擬leakage 的transient 之類的東西,
大概只能在gate自己串一個小電阻意思意思看一下了吧..:Q
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◆ From: 61.230.231.84
> -------------------------------------------------------------------------- <
作者: supeross (supeross) 看板: Electronics
標題: Re: 想請問一下...hspice可以量測gate leakage cur …
時間: Mon Aug 29 23:54:22 2005
※ 引述《ihlin ()》之銘言：
: ※ 引述《supeross (supeross)》之銘言：
: : 對啊, 在tsmc .13um的model 下就是這樣.
: : 可以只對某幾顆你覺得重要的mos 模擬gate leakage.
: 請問您有用過TSMC 0.18um RF的製程嗎？
: 我讀了PDK document後並沒有找到有關gate leakage的說明，
: 是這個process 沒有做嗎？
tsmc .18um應該是沒有給gate leakage的參數,
連umc .13um 都沒給了..
不過.18 process 的gate leakage應該很小可以忽略吧?
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