Automatic Configuration「自動設定」（On/ Off）
（DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring）如果你要手動調整你的記憶體
時序，你必須關閉這個讓電腦為你設定的功能。

Bank Interleaving（Off/ 2/ 4）
（Bank Interleave）DDR RAM的記憶體晶片是由4個Bank所組成。經由Interleaving，同
時對4個Bank作定址，可以將效能提升到最高。

Burst Length「爆發長度」（4/ 8）
這個選項所決定的是，在一個傳輸循環中，要送出多少資料區塊。理想上，在目前
Pentium 4和超微Athlon XP的中央處理器的L2 Cache（L2 快取）上，一次傳輸會填入一
個記憶體列。一個記憶體列等於64位元，或者是說8個資料封包（Data Packet）。

CAS Latency tCL「行位址控制器延遲時間」（1.5/ 2.0/ 2.5/ 3.0）
（CAS Latency Time、CAS Timing Delay）從已經定址的行，到達輸出暫存器的資料所需
的時脈循環數。記憶體製造商將最佳的可能設定值以CL Rating的方式作列表。

Command Rate CMD（1/ 2）
（Command Rate、MA 1T/2T Select）以要求的資料區間來定址記憶體模組和記憶體晶片
所需的時脈循環數。如果你的記憶體插槽已經全部插滿，你必須將這個比值調整到2，不
過這樣會使得效能明顯下降。

RAS Precharge Time tRP「列位址控制器預充電時間」（2/ 3）
（RAS Precharge、Precharge to active）對迴路作預充電所需的時脈循環數，以決定列
位址。

RAS-to-CAS Delay tRCD「列位址至行位址延遲時間」（2/ 3/ 4/ 5）
（RAS to CAS Delay、Active to CMD）在已經決定的列位址和已經送出行位址之間的時
脈循環數。將這個設定值設成2可以將效能提高最多4%。

Row Active Time tRAS「列動態時間」（5/ 6/ 7）
（Active to Precharge Delay、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row
Precharge Delay）當一個記憶體晶片上兩個不同的列逐一定址所造成的延遲。

Memory Clock「記憶體時脈」（100/ 133/ 166/ 200 MHz）
（DRAM Clock）指定記憶體匯流排的時脈速度。這個指定的比率與前級匯流排時脈有關。
DDR技術（雙資料率）可以經由實際的匯流排時脈速度把資料率加倍。

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