推 ChrisPaul03:太電中心好玩嗎？ 09/23 16:19
推 hodancebear:感謝提供意見喔! 09/23 20:05
推 mcgrady119:good 03/30 00:57
※ 引述《hodancebear (Joseph)》之銘言：
: 小弟的專題正在做個非揮發性記憶體元件
: 必須在晶圓的背面鍍上Al當電極
: 但是晶圓背面所生成的二氧化矽會造成不必要的電容產生
: 所以我想請問前輩們晶圓上所生成的二氧化矽除了用buffer oxide etchant清除外
: 還有沒有什麼方法可以清除掉?
: 希望是實驗室裡能做得到的
: 感激不盡^^
我想你所說的氧化物是指放在空氣中自然生成的氧化物吧
這個是native oxide
最簡單的就是使用HF清洗掉
推文中也提到可以使用NaOH的溶液
不過NaOH溶液洗掉silicon dioxide的時間需要很久
如果加熱的話會比較快一些
不論加熱與否時間都不好抓
如果過頭 silicon表面就會被蝕刻
也就是solar cell製程裡常見的alikane texture
所以最簡單的還是使用HF
濃度不一定要使用到高濃度的 (一般是48~51%)
可以使用DI水稀釋
浸泡到表面呈現"疏水"面即可
室溫中silicon表面會形成氧化層
但是其實速度不會那麼快
另外 BOE裡面洗掉氧化層的就是HF
不過有添加一些buffer 讓速度不會那麼快
剛剛提到的添加DI水 其實就是類似buffer的意思
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"It's not about east or west, it's about niggaz and bitches,
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這不關於東岸或是西岸,而是關於兄弟和女人,權力和金錢,領導者和卒仔.......
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