推 PDADDY:石墨不是坩堝 是隔熱材 氧是從石英坩堝的coating來的 而不 04/14 21:31
→ PDADDY:是直接從坩堝來 不過氧含量過高通常是氣氛出問題 04/14 21:31
※ 引述《davincil (Unipersonality)》之銘言：
: ※ [本文轉錄自 Wanted 看板]
: 作者: davincil (Unipersonality) 看板: Wanted
: 標題: [問題] 發光二極體
: 時間: Mon Apr 13 16:59:58 2009
: 我想請問是有人知道led磊晶片，我的疑問是在於
: 為什麼要硒化鋅(ZnSe)基板上生長硒化鋅的磊晶層，這個做法有什麼好處?
: 我查了很久都沒什麼進展，希望板上有人能好心告訴我 <(_ _)>
: 我非常需要的知道，感激不盡
來說一下最近上課學到的內容好了
雖然他舉的例子是以矽為主 但是半導體應該差不多的原理
就矽半導體來說 會先經由CZ法或懸浮帶區法
CZ法雖然可以得到純度高達99.9999999%
但是還是會有C O原子的污染存在(從反應器中的石墨坩堝與SiO2坩堝而來)
利用磊晶生長於基板上面有兩好處(CVD生長；化學氣相沉積)_
1.可以得到更高的純度 避免掉其他原子的汙染
2.使的參雜(Doping)的As.P.B等原子濃度更均勻
就第二點來說因為是使用CVD法反應 不像Fick's Law會有濃度梯度的問題
其整體參雜濃度與距離圖(concentration profile)為一垂直線 非一曲線
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查了很久 找不到生長硒化鋅基板的製程為何種制程
但是使用磊晶的目的都是一樣的
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