GaN 直接成長在sapphire上時
因為晶格常數差異過大,所以不容易長的好
先成長一層低溫GaN,
因為晶格常數 ,熱膨脹係數剛好都可以藉於兩者之間,
所以可以減緩因晶格常數及材料差異所造成的晶格缺陷
其實Buffer layer 在thin film領域是一個很常見的手法
在CVD成膜中,更是一個很重要的技術,尤其是heterogenous的材料
如果想要多了解GaN的緩衝層多找找blue LED 的文獻應該是會有介紹的
※ 引述《narutoo (RORO)》之銘言：
: 請問一下
: 像氮化鎵低溫緩衝層的作用機制和原理是什麼
: 實在找不到有關其原理的相關資料~~
: 謝謝
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