推 YJM1106:真不虧是搞陶瓷材料的，很清楚呢 11/03 01:40
→ kriz:囧 被洩底了 11/03 12:43
※ 引述《zxuloandy (堯)》之銘言：
: 如果用X光結晶繞射法觀察兩個不同尺度大小的樣本
: 比如說觀察奈米級(約50nm)particle的 Si powder 和觀察一般尺寸大小(幾mm)的 Si
: powder
: 這兩種情況所得到的繞射圖案有什麼差別啊，是不是用奈米級particle的 Si powder
: 比較好??
: 呵胡塵滌考到這個，想問大家，還是說這在課本上找的到啊哈哈??
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: ◆ From: 123.204.194.9
: → eggplantjack:繞射峰比較寬? 11/01 13:05
: 推 bla:nanoparticle會出現particle形成的平面繞射峰 (我亂講的 = =) 11/01 19:56
: 推 afunism:nanoparticles由於結晶度較差導致繞射峰變寬 11/01 20:34
nanoparticle如果有anneal過....結晶性不一定比較差，要稍微注意一下，
沒有anneal過的粉末，除了結晶性的問題，還要考慮到strain造成的繞射鋒偏移，
如果是用磨出來的奈米粉末，這種問題會更明顯，
可參考Elements of XRD by B.D. Cullity 的 Strain separation部分，
Williamson-Hall plot很清楚指出球磨產生的strain，與使用anneal移除strain的現象。
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◆ From: 114.36.13.183