作者carpfish (小魚)
看板ChemEng
標題Re: [製程] sol-gel 作SiO2薄膜的厚度
時間Sat Jan 30 23:52:24 2010
※ 引述《wuchengyi (巫婆婆)》之銘言:
: 目前看到的sol-gel SiO2薄膜都接近100nm以上到幾um,
: 想知道是否可以利用此法製作SiO2 的10nm薄膜?
不可能...
首先, sol-gel要製備薄膜通常都是利用spin-coating的方式,
利用提高轉速來降低厚度, 可是轉速提高到一定程度時,
膜就會很容易無法形成連續相, 也就是不能成膜,
此外, sol-gel process過程中solvent的揮發也會造成孔洞產生
所以sol-gel製備出來的膜多為孔洞膜, 若厚度不夠根本無法成膜,
所以要製備超薄(100nm以下)的薄膜,
現在比較可靠的技術多還是利用PVD, CVD的方式達成
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◆ From: 61.216.1.142
推 yeh0906:我是有利用過dipping方式成膜過..我不確定有無10nm沒量過 02/03 01:42
→ yeh0906:但應該也有接近10nm..另外spin想成到這小的膜的話..應該 02/03 01:43
推 yeh0906:solgel沒辦法達成吧..其他東西倒是有可能比10nm小..我曾經 02/03 01:47
→ yeh0906:看過用spin甩有機類東西甩小於10nm 02/03 01:48