想請教各位先進，
就我的印象中TOF-SIMS跟一般的SIMS分別在於碎片收集的過程，
而不是信號產生的過程，但是這幾天看到學長的研究報告裡面
卻引述說TOF分析的深度在表面30A以內，而一般的SIMS範圍卻
可以廣到表面5-600A。
我想問為什麼同樣用離子槍大出來的分析深度可已有這麼大的
差距？
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