[製程] 請問TI/TIN去除蝕刻率主要是由哪個影響較高?

作者alittleduck (找尋夢想中...)

看板ChemEng

標題[製程] 請問TI/TIN去除蝕刻率主要是由哪個影響較高?

時間Wed Aug 31 20:56:56 2011

想問一個製程上的問題... 我雇的酸曹蝕刻率突然偏高好一陣子... 主要是測量wafer上的TI/TIN去除率(film為TI/TIN) 過的槽為NH4OH+H2O2+H2O (SC1) 請問蝕刻率偏高, 是哪個影響較大@@"? 到底是H2O2影響大還是NH4OH??? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 1.169.187.218

推 powereva:H2O2氧化會加速反應 11/09 17:19