看板 ChemEng 關於我們 聯絡資訊
小弟先附上相關資料 AZO氧化鋅鋁(2%Al)(德制,可採用DC鍍制薄膜) DC POWER 50~150W 製程壓力20mtorr~5mtorr 基板溫度為100,200,300,400度 小弟先附上相關資料 AZO氧化鋅鋁(2%Al)(德制,可採用DC鍍制薄膜) 三吋靶 DC POWER 50~150W 製程壓力20mtorr~5mtorr 基板溫度為100,200,300,400度 利用純氬氣進行壓力調整 三吋靶 DC POWER 50~150W 製程壓力20mtorr~5mtorr 基板溫度為100,200,300,400度 利用純氬氣進行壓力調整 製程時間為40min 有使用sem及a-step去確認膜厚至少300nm以上 =========================================== 但無論怎麼調整參數得到的阻值都是k ohm級別(採用四點探針) 甚至熱退火過(200 400度都試過) 阻值仍然降不下去! 而且電阻率根本量測不到(霍爾) 已經換過兩次靶材了,確認並不是材料問題 至於為何不採用RF呢...有試過 沒一塊有阻值的 也就是變成絕緣體了! 現在小弟唯一能想到的癥結點只剩下 1.基版為普通素玻璃(知識不足不知是否有差異) 2.機台問題(但找不出原因) 懇求各位專業人士們提供其他可能導致此結果的原因T_T 已經快被幹掉了QAQ! 非常感謝><" 參考其他人的文獻至少能做出100 Ohm以內的薄膜.. 實在不懂為何如此悽慘 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 120.117.76.209
elfishdevil:1.背景真空度? 2.濺鍍壓力可以更低點 125.231.216.38 03/15 22:29
elfishdevil:(1mtorr) 3.溫度100~200就差不多了 125.231.216.38 03/15 22:30
elfishdevil:4.先鍍厚一點(500nm以上) 125.231.216.38 03/15 22:31
elfishdevil:一般來說我覺得1機會最高,一點點氧就 125.231.216.38 03/15 22:32
elfishdevil:差很多 125.231.216.38 03/15 22:32
popopin:AZO..先照著文獻的方式做看看吧 36.235.162.162 03/29 23:37