[學習] 請教paper中一段話的內容!?

[Harki (Brin)]

各位板有 大家好
日前 看了一篇理論計算的paper
[PHYSICAL REVIEW B, VOLUME 65, 174117]
[Vacancy and interstitial defects in hafnia]

這篇內容許多的理論計算
對於其中有些部份 實在不是很了解它真正的意思

[The formation of a vacancy introduces a new
double-occupied one-electron level in the band gap situated
at 2.8 eV and 2.3 eV above the top of the valence band for
V3 and V4, respectively.]

請問各位 這段所要表達的是!?
在valence band 之上 形成 2.8 eV(V3) & 2.3eV(V4) 這兩個新的能階?!
是這樣嗎!?!?

其中 [double-occupied one-electron level]
指的是?!
對於這部份 一直想不出來如何解釋!?!!

希望各位能給一點意見!!!

謝謝各位!!!



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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 175.182.52.80
推 h888512:一般而言band gap不會有allowed state 有vacancy後gap裡
→ h888512:就有allowed state
→ Harki:是的! 因為在HfO2結構中有O空缺所以會在VB和CB間行成次能階!
→ Harki:只是目前對於double-occupied~~~這一段 不是很明白它的意思!
→ Harki:還請各位能多給一點意見! 也謝謝h888512大喔!!!
推 fauna:指的應該是一個能階填了兩個電子吧
→ Harki:我也這麼覺得! 只是boss怕會錯意! so~才要查清楚!