※ 引述《[email protected] (明天心情好)》之銘言：
: ※ 引述《[email protected] (^^)》之銘言：
: > 好像在探討
: > coupling R , C
: 信號的短路
當積體電路的積集度增加時，使得晶片的表面無法提供足夠的面積來製作所需的
內連線(Interconnects)，因此，為了配合元件縮小後所增加的內連線，多層金屬
導體連線的設計，便成為極大型積體電路技術所必需採用的方式。然而，隨著金屬
導線層數目不斷的增加，電子訊號在金屬連線間傳送的時間延遲（RC time
delay，即電阻值(R)與電容值(C)的乘積值），將成為影響元件操作速度、單位面積
容量大小、良率高低、與可靠度(reliability)優劣的最主要因素。在0.25微米的元
件尺寸大小時，50﹪的元件速度延遲，來自於由內連線所造成的時間延遲，且此速度
延遲將隨元件尺寸的縮小而增加。為了降低訊號傳遞的時間延遲與其相互間的訊號干
擾(crosstalk)、及降低功率損耗，除了降低金屬導線的阻值
（如使用金屬銅，其電阻率為1.7mW-cm），
另一方面，便是使用低介電常數的材料，以降低寄生的電容值。
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