※ 引述《MoonMoon.bbs@bbs.ee.ncnu.edu.tw (朋)》之銘言：
: ※ 引述《josephchu.bbs@bbs.ccns.ncku.edu.tw (BME新生)》之銘言：
: > BJT特性有容易受溫度變化
: > MOS參數中無溫度變化係數，故較不易受環境影響
: 同是矽材料, PN 的接面, 溫度影響不可免.
: 影響有多大? 電路可抵消, 書中自有答案說.
In silicon, BJT has higher transconductance and an ability to build temperture
independant reference; MOSFET has better linearity and lower power dissipation
in digital circuits which helps to integrated as a mixed signal chip.
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