推 pow:可是高頻就不一樣了阿 有junction就有shot noise 12/16 00:58
推 ihlin:因為結構上的根本不同，即使是高頻(例2.4GHz)下 12/16 07:06
→ ihlin:BJT還是勝出... 12/16 07:07
※ 引述《spiritia.bbs@bbs.nsysu.edu.tw (水精靈)》之銘言：
: > BJT:優點--->技術成熟,且大量生產,因此在價格上便宜,而且其溫度係數/抗雜訊能力
: > 也有一定程度以上,而且取得容易,其缺點是速度不夠快.
: > MOS:在實際應用上除非用於高頻計算,才會考慮使用,其單價較高,而且現在也可以
: > 單晶片來處理,其優點就是切換速度快,例如DC PWM 速度的控制器.
: > 有請賢拜指教...
: 你說的蠻多錯誤的~~好像都相反
: 1. MOS的技術很成熟了，不是嗎?
: 2. 抗雜訊的能力應該是MOS比較好吧~~
: 3. 速度的話，是BJT快，MOS因為有寄生電容的影響，速度不及BJT
: 4. 消耗功率讀話，是MOS比較省電。
: 5. 使用方面，MOS應該是最方便也最便宜的，不然為什麼目前的chip都要用MOS去實現，
: 而不用BJT去做。
: 6. 驅動能力的話，是BJT比較好。
: 7. 高頻的話，BJT與MOS就不在此範圍內了吧，Hi-Freq有自己的高頻(微波)元件，
: 用的也不是Si，而是SiGe或GaAs
如果針對原post的標題來看...
OP使用矽BJT還是有勝出的項目...
光noise部分，BJT的OP都很低，尤其以flicker noise，
正常的CMOS幾乎沒能力相提並論
看看市面上的古董OP27/OP37 3nV/sqrt(Hz), 近代的AD797, 0.9nV/sqrt(Hz)
再看看用JFET做輸入的OP，或自己拿TSMC or UMC model模擬的OP，
上面那兩個雜訊項目，應該難以做到吧...
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◆ From: 210.58.10.158