※ 引述《Jui.bbs@bbs.cs.nthu.edu.tw (瑞)》之銘言：
: 對於P型substrate而言
: gate加負電壓...則通道屬於accumulation mode
: 則mos電容只有氧化層電容Cox
: why....
: 那通道上累積的電洞算什麼？
: 麻煩高手解釋一下...tks
我不知道我理解的對不對
其實對於MOS的結構、作用來說
「通道」上面累積的電洞是提供更多的「載子」（假設已經在導通的狀況下）
而MOS上面說的Cox單位是什麼？ 6.9fF/um^2 for tox = 5nm
這個Cox是在poly上面產生的
你真要說算什麼
在triode region
Cgs = Cgd = 0.5CoxWL
saturate region
Cgs = 2CoxWL/3 ,Cgd = 0
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