[問題] 請問TSMC 0.18um製程的問題

[elf326 (小小)]

   想請問TSMC 0.18um製程,它裡面所謂的RF model跟一般的model,它們之間的不同只是
因為RF model在高頻有比較高精準度的萃取參數(與一般相比的話)而已,還是他們之間有不
同的架構,因為我看ADS RF model裡面的NMOS他有註明是triple well PMOS是twin well..

還有RF moedl的MOS可以跟一般的MOS作在一起嗎?只是要在LAYOUT上畫法不同(例如:
triple well 之類的)..........謝謝各位前輩!!

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