[問題] 為什麼基底雜訊抑制PMOS比NMOS好

[elf326 (小小)]

   如題,是因為PMOS有N-WELL的關係嗎? N-WELL是什麼效應讓substrate noise隔離掉

 是利用它有PN接面電容的機制嗎?...這方面不怎熟悉 請教各位大大了.....謝謝^^

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 218.172.251.199
推 ihlin:因為PMOSFET是buried channel device,在先進製程則不一定
推 hajiweon:為啥pmos是buried channel? channel不就在gate 下?
→ hajiweon:不過pmos通常有N埋藏層阻隔基底跟channel是真的...