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※ 引述《killer9619 (準新鮮人~什麼是大學勒?)》之銘言: : 今天突然想到 如果我方法二 : 在上端增加一條電阻R 和下方mos相當的電阻 : Vdd : | : ︴R : input ─┼─Vf : │ : GND : 是否可行 甚至達到節省成本之目的 當input為high的時候... 下方的mos導通...所以out為low沒有問題... 不過當input為low的時候... 下方的mos不導通... 那照你的想法...上方的R跟下方的mos不導通時的阻抗相當... 那會變成什麼? out只會有0.5VDD...因為電壓被分掉了... 再來...假設你在上面放個電阻... 那當input為low的時候...你的Iout可以到多少? 這個Ioh牽涉到fanout的問題... 另外... 上面加一條電阻... 你確定這條電阻在劃layout的時候... 不會比這顆CMOS還要大? 電流要大...阻值要大... 換句話說這條電阻要畫的比較寬...比較長... 那應該會很大喔... -- ▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁▁ 國 立 聯 合 大 學 (理工/電資/管理/技術/客家)院所 招生中 National United University ─────────────────────────────────── 首頁 http://www.nuu.edu.tw BBS telnet://uun.twbbs.org -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.133.140.180
starsand:....................... mos不導通時有阻抗???? 11/06 03:14
austinlee:通篇錯到不行..... 11/10 14:52
pupucar:這篇錯很大.......... 11/10 15:26