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※ 引述《killer9619 (準新鮮人~什麼是大學勒?)》之銘言: : 今天突然想到 如果我方法二 : 在上端增加一條電阻R 和下方mos相當的電阻 : Vdd : | : ︴R : input ─┼─Vf : │ : GND : 是否可行 甚至達到節省成本之目的 這個電阻的加法應該是這樣 method 1: Vm = Vdd/2 Id = Vdd/2R = kn'(W/L)(Vdd/2 - Vth)^2 (1+lambda*Vth)/2 ^^^^^^^^^^^^I = I_0*(1+lambda(Vds-Vov)) solve R = Vdd/[kn'(W/L)(Vdd/2-Vth)^2(1+lambda*Vth)] method 2: max NMH first construct Vf-Vi function Id = (Vdd - Vf)/R = 0.5*kn'(W/L)(Vi - Vth)^2 (忽略channel length modulation) Id = (Vdd - Vf)/R = kn'(W/L)[(Vi - Vth)Vf - 0.5Vf^2) find dVf/dVi = -1 找最大的NMH...... 不過~~~幹嘛用這樣的電路,這個電阻真要作大概就是做到2k~5k這麼大吧 再大~~~可能就XDDD -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.135.83.97
pow:原波的IDEA好像是八零年代的人已經用過了 11/06 08:04
killer9619:.......我的思考好原始阿 11/06 22:24