※ 引述《fallener.bbs@bbs.wretch.cc ()》之銘言：
: 這是一個小小的問題...希望大家能討論看看 幫忙解惑
: 採用CMOS作法的NAND雙輸入
: 現在考慮兩輸入A,B其中一個改變 造成輸出由1.8v -> 0v的情況
: 其中一顆nMOS會有body-effect(寬度為WA)...... 沒有body-effect的為WB
: 因為上面兩個pMOS並聯 下面兩顆nMOS串聯
: 重點就是...串聯的那兩顆nMOS....哪顆的W應該稍微大一點呢?
: 這是老師問我的問題 困擾我很久
: 我想出了兩個要點...可是答案跟老師的似乎不同(老師說WB要比較大)
: 1.若 WA=1.2WB 也就是有body effect的寬度比較大
: 跟 WB=1.2WA
: 這兩種設計我發現讓輸出電容上的1.8v 放電到 0v的初始電流來說
: WA=1.2WB 的電流比較大...也就是 vin 50% -> vout 50% 的delay比較小
: 所以WA>WB有優點就是暫態時間短(做spice模擬也是如此)
: 2.若 輸出之前充電到1.8v 且 A=1.8v B從0上升到1.8v 使輸出開始放電
: 則B點只要大於Vth就開始有電流....0.18um 的 vth大約是0.53左右
: 若 輸出之前充電到1.8v 且 B=1.8v A從0上升到1.8v 使輸出開始放電
: 則A點需要大於 Vth(with body effect) + V(source of MOS A)才開始有電流
: 所以A點的改變導致輸出下降 這段經過的delay比較久
: 那不是應該要讓MOS A的W/L稍微大才好嗎?
: 無論怎麼想...都應該是WA比較大阿???
: 讓WB比較大有什麼好處或優點嗎???想不太出來 希望神人能幫忙~XD
Keyword: "Progressive Sizing"
Key concept: It takes time for capacitance at every node to discharge
While you increase the size of a transistor, you are
increasing the parasitic, too. This "progressive sizing"
concept is here to help you do the trade-off and
optimize the performance.
http://tinyurl.com/t96w4
==> Starting from page.13
http://tinyurl.com/y3vmwn
==> Starting from page.18
I think you'll know a lot by reading the two references (front to back.)
If you have any problem, please don't hesitate to ask!
Enjoy!
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 152.14.55.70