※ 引述《flyskydou (remi)》之銘言：
: 準分子雷射 對於CMOS的淺層接面的製程與原理
: laser anneal(CMOS shallow junction)
: 請解釋詳細 因為老師很機車XD
某些Excimer laser之頻段能輕易地被silicon吸收
又excimer laser的發射時間十分短(nano second)
所以可以僅對CMOS的shallow jusction做加熱動作
（僅對表面很薄的一層加高溫）
使得implant進去的dopant可以重新建結在silicon的crystal lattice上
而不會因為長時間的高溫造成dopant的diffuse
是以可以形成shallow junction
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