推 daming:NANO LETTERS 2005 Vol.5 2408-2413 Baoquan Sun 12/17 21:55
→ daming:Solution-Process Zinc Oxide FET based on self-assembly 12/17 21:56
→ daming:of colloidal nanorods 感謝解惑 12/17 21:58
※ 引述《daming (daming)》之銘言：
: 因為本身對電子學沒有深度了解
: 我想請問 當製程一個MOSFET 時
: 載子的mobility 和元件的 conductivity 有何關係
: 我在一篇材料相關paper讀特殊的 ZnO 組成其 mobility最大 但 conductivity 卻最小
: 就製程的角度來講 到底是 mobility 越大越好 還是 conductivity 越大越好呢
以MOSFET來說，channel需要high mobility，junction需要high conductivity.
這其中當然有很多學問，doping可以增加conductivity，但是在sub-um device
會使short-channel effect惡化；pocket/halo implant可以改善SCE，但又會降
低channel mobility。
作device engineering就是常常在這個loop裡轉來轉去。
這篇paper的title/author可否告知？
: paper中也一直提到 on/off ratio 請問是那一種參數的比值呢???
Ion/Ioff ratio吧？
: 文內有一句 .... mobility can be further improved without sacrificing the on/off
: ratio ............ 請問 on/off ratio 和 mobility又有何關係呢
: 希望個位強者能幫忙解答 謝謝
Mobility和Ion是正相關。
本來呢，Ion/Ioff ratio越大，傳統上就代表logic device的gate
controllability越好。不過在小尺寸元件上，這個index已經沒多大意
義。Total power consumption and the logic performance at fixed
power have lone become the main spec for GPU/MCU customers.
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