推 obov:subthreshold low power analog似乎將會很熱門耶 01/04 03:49
※ 引述《oitwtn (忠誠 正義 天蠍座！！)》之銘言：
: 請教Analog MOS的區域
: 在設計Analog電路時,很多電晶體幾乎都要在Saturation region中
: 若在CUT OFF REGION時,就沒有電流
: 但事實上當VGS<Vth、MOSFET無電流通過的敘述和現實有些微小的差異。
: 在真實的狀況下，因為載子的能量依循波茲曼分佈（Boltzmann distribution）而有
: 高低的差異。
: 雖然當VGS<Vth的狀況下，MOSFET的通道沒有形成，但仍然有些具有較高能量的載子可以
: 從半導體表面流至汲極。
: 而若是VGS略高於0，但小於Vth的情況下，還會有一個稱為「弱反轉層」
: （weak inversion layer）的區域
: 在半導體表面出現，讓更多載子流過。透過弱反轉而從源極流至汲極的載子數量與VGS的
: 大小之間呈指數的關係
: ，這樣的電流又稱為次臨限電流.
: 問題來了,那我們設計時,用.OP看MOS在CUT OFF區,但有不小的電流
: 那這MOS是否就是在weak inversion 區呢?
: 如果是的話,在Analog電路中的mos對於weak inversion 區和飽和區工作有多大差異呢?
: ps:我試過加大在weak inversion區的mos的電流,加大一點就會進飽和區了
one word: LINEARITY
Also some people use subthreshold biasing on MOS-bipolar to achieve very
high Rout (10^12 ohm)
Reid R. Harrison and Charles Cameron, "A low-power low-noise CMOS
Amplifier for Neural Recording Applications", IEEE, JSSC, Vol. 38, No.
6, 958-965
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