推 pow:it's about the carrier (holes and electrons). google plz 01/04 22:47
通常MOS分作截止區,線性區,飽和區
上面三個區域大都有公式條件可判斷出來
但又常聽到強反轉區,弱反轉區,崩潰區
這些區域的條件又是如何的呢?
※ 引述《pow (體脂肪35%)》之銘言：
: ※ 引述《oitwtn (忠誠 正義 天蠍座！！)》之銘言：
: : 請教Analog MOS的區域
: : 在設計Analog電路時,很多電晶體幾乎都要在Saturation region中
: : 若在CUT OFF REGION時,就沒有電流
: : 但事實上當VGS<Vth、MOSFET無電流通過的敘述和現實有些微小的差異。
: : 在真實的狀況下，因為載子的能量依循波茲曼分佈（Boltzmann distribution）而有
: : 高低的差異。
: : 雖然當VGS<Vth的狀況下，MOSFET的通道沒有形成，但仍然有些具有較高能量的載子可以
: : 從半導體表面流至汲極。
: : 而若是VGS略高於0，但小於Vth的情況下，還會有一個稱為「弱反轉層」
: : （weak inversion layer）的區域
: : 在半導體表面出現，讓更多載子流過。透過弱反轉而從源極流至汲極的載子數量與VGS的
: : 大小之間呈指數的關係
: : ，這樣的電流又稱為次臨限電流.
: : 問題來了,那我們設計時,用.OP看MOS在CUT OFF區,但有不小的電流
: : 那這MOS是否就是在weak inversion 區呢?
: : 如果是的話,在Analog電路中的mos對於weak inversion 區和飽和區工作有多大差異呢?
: : ps:我試過加大在weak inversion區的mos的電流,加大一點就會進飽和區了
: one word: LINEARITY
: Also some people use subthreshold biasing on MOS-bipolar to achieve very
: high Rout (10^12 ohm)
: Reid R. Harrison and Charles Cameron, "A low-power low-noise CMOS
: Amplifier for Neural Recording Applications", IEEE, JSSC, Vol. 38, No.
: 6, 958-965
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