推 mrjoker:其實可以由兩者的定義來想像，Schottky barrier是一種接面 01/11 10:38
→ mrjoker:能障，能障隨reverse bias升高而升高，Ohmic contact則是 01/11 10:40
→ mrjoker:一種線性接面，當bias reverse時原件仍會產生一線性逆向偏 01/11 10:41
→ mrjoker:壓電流，所以以此想像大致就可以描繪出位勢圖 01/11 10:42
schottky barrier 與 ohmic contact
若對於 金屬的功函數 > n-type半導體的功函數
或 金屬的功函數 < p-type1半導體的功函數
則為schottky barrier
反之若 金屬的功函數 > p-type半導體的功函數
或 金屬的功函數 < n-type半導體的功函數
則為 ohmic contact
對於大於或小於 跟 p-type或 n-type的對應關係 死背的很辛苦
有什麼方式或原理是我疏忽掉了嗎
可否指點解惑?
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◆ From: 210.69.124.39
※ 編輯: armoni 來自: 210.69.124.39 (01/11 09:25)
※ 編輯: armoni 來自: 210.69.124.39 (01/11 09:26)