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想請問一下p+-n junction中 為何輕度參雜區的寬度比重度參雜區的寬度寬呢? 如果以p+和n型的接面來說 p+的離子空乏區寬度會小於n的離子空乏區 why? 因為直覺上 p+的電洞擴散梯度應該比n的電子擴散梯度來的強 所以不是應該電洞擴散比較多嗎 相對的 留下的受體離子應該會較多 而造成p+區域的離子空乏寬度變的較寬 n區域的離子空乏寬度較窄 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 210.69.124.39