推 ilovecatch:mos分1.8v和3.3v應該是最大耐壓不同 .18可操作在1v 03/30 23:58
推 sexyman:低電壓者用於內部電路省電，高電壓者用於I/O趨動外部電路 03/31 00:24
→ sexyman:絕對誤差，15% 都算正常，所以最好是用相對誤差的設計 03/31 00:25
→ sexyman:相對誤差是有文件的，但是 TSMC 沒有開放給學術界使用 03/31 00:26
請問一下 .18 製程 中
mos 有分 1.8v 和 3.3v ~
那們這之間的差異在於 ??
是否我也可以將 .18製程 操作於 1v , 壞處在於 ?
(因為我的確有看過 .18 使用 vdd=1v的 paper)
除此之外
電阻 ,電容製程上的 "絕對誤差" 為多少呢 ?
以上疑問 , 謝謝
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