[問題] Schottky 在tsmc sige 用hspice 模組的問題

[pinns (努力向上中...)]

如題...在 SiGe BiCMOS 製程下..
請問Schottky diode 我要怎麼給長寬比?
也是直接用內部的模擬嗎??
譬如..  pdio w=10u l=10u
ps  w 與l 我先給10u..
不過我不知道要怎麼樣在hspice模擬蕭特基二極體..
請教大家??


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