[問題] 電晶體MOS燒壞

[tutowuu (只有努力)]

 請問各位


  如果說電晶體(MOS)因為瞬間電流過大

  導致電晶體燒壞

  1.請問是哪裏燒壞?  端點 製程裡面layer.....

  2.還有還有哪些原因導致燒壞


  謝謝大家



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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 140.116.187.206
→ cpt:最容易燒壞的地方是 metal 1 繞線以及 via/contact
→ cpt:如果是MOS燒壞, 有可能是Vgs過高(oxide breakdown)
→ cpt:或Vds過高 (Avalanche breakdown)