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※ 引述《a93620037 (阿海)》之銘言: : 為什麼緩振電路中的電壓突波會很大(VDS量測到200V)(輸入電壓60V,MOSFET使用IRF640, : 漏電感1nH)請問是IRF640內的寄生電容造成的還是漏電感造成的. 我只能說 都有 甚至Layout的線電感跟電容都會有影響 但是確定的是 漏感一定是越小越好 V=Ldi/dt可以想像 : 再請問一下 : 緩振電路的RCD要怎麼匹配...常聽別人說要一直TRY 事實上真的是如此 底下有理論的公式 而實際上因為MOS有寄生電容 版子也有雜散電容線感 繞製的變壓器也會有漏電感 所以實際上需要Try and error : 但請問要如何判斷電容是要加大或者減小呢? C = (Ip/2)*tf --------- VDS R = Ton(min) -------- 3C P(R) = 0.5C*(VDS)^2 -------------- T Ip為開關關閉時候的峰值電流 tf為電流下降時間 通常是幾十到幾百個ns VDS為開關上跨壓 Ton(min)為DUTY最小值*週期,也就是開關開啟最短時間 P(R)為電阻需要選用的瓦數 公式原理很簡單 C*dv/dt=i P=0.5C*V^2 3RC=Ton<-經驗值 如果RCD snubber加上去SPIKE消除不掉 增加電容值 減少電阻值 但要小心這樣做電阻要耐的瓦數必須增高 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.118.16.133 ※ 編輯: yourhusband 來自: 210.203.54.46 (11/16 19:25)
a93620037:snubber會減少切換損嗎?還是只有消spike? 11/16 23:28
mardliu:應該只消spike吧 11/17 00:19
yourhusband:snubber只會將切換損轉移到電阻上 11/17 09:07
yourhusband:不會增加效率 11/17 09:08
yourhusband:甚至..因為增加Diode..損失會更大一些 11/17 09:08
yourhusband:主要是看取捨 可以降低開關應力的需求 效率些微降低 11/17 09:09
a93620037:謝謝指教,又學到了很多東西^^ 11/18 14:34
nitsuki:snubber也可以出做無損snubber,以及能量回生型 11/05 11:59