推 NBS:你可能要先瞭解每一道步驟是什麼功用 01/17 05:26
→ weiqi0811:大多是用在特殊用途(須查一下) 但製成也較一般貴... 01/17 11:55
→ weiqi0811:epitaxial growth 長完就是 epitaxial layer 01/17 12:01
→ weiqi0811:至於前面說得從哪開始重複做要看製成or電路要求沒有一定 01/17 12:01
請問
晶圓製程的前段
有一段流程是:
晶圓和光罩對正→微影→蝕刻→氧化→擴散→CVD→離子植入→濺鍍(Sputtering)
<--------重複做4～5次--------------->
因為我看的資料和書 有點差異 不知道正確的程序是怎樣
我上面的流程哪裡有出錯嗎??
有的書是"擴散"到"離子植入"是重複做
有的資料是從一開始"光罩對正"到"離子植入"重複做
能否請教正確步驟是如何??
還有 請問"矽磊晶成長(epitaxial growth)"就是長"磊晶膜(epitaxial layer)"
是用在哪一步驟??
謝謝
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