→ t8810039:謝謝,不過半導體物理 很難,都是抽像觀念. 09/13 17:18
推 KARO7696:多讀幾遍吧 囧 越讀會越有感覺 09/13 19:05
推 profyang:我覺得如果只是要稍微理解的話參考上篇推文就好了吧~ 09/13 22:54
→ profyang:如果你要理解的更深的話當然只好讀半導體物理了... 09/13 22:54
※ 引述《t8810039 (其實我想當壞人)》之銘言：
: MOSFET 空乏型 N通道
: 在一本高職參考書上看到這段,
: 看不懂
: 當閘極電壓為負時,在通道內感應出正電荷,
: 正電荷會抵消原N通道.
: 註:源極為參考點.
: 在通道內感應出正電荷 這句看不懂.
這個跟半導體物理有關
因為MOS操作在 Inversion regime (強反轉區)
導致bandgap (能帶) 被彎曲
所以使的Minority (少數載子)會聚集在通道 XD
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詳細的內容可以參考看看Neeman的Semiconductor Physics & Devices.
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