作者deathcustom ()
看板Electronics
標題Re: [問題] 請問MOS數位邏輯電路的問題
時間Sat Nov 15 19:40:28 2008
※ 引述《Shiva (Shiva)》之銘言:
: smith電子學10.3節的判斷方法應該是只適用於PMOS的Source接1,NMOS的Source接0吧?
: 用duality特性來設計很快
: 但如果不是那樣的情況(ex.下面的圖),而是PUN和PDN無duality特性
: 這樣是不是應該用真值表來看呢?
: 下面三個example,麻煩大家幫我看一下推論有沒有錯
: 還有高阻抗態該怎麼表示呢?
: 感謝!
: ex.
: 1
: │
: │─
: A ─○││
: │─
: │
: │── Y
: │
: │─
: B ─││
: │─
: │
: 0
: 當A:0 B:0 → PMOS on , NMOS off → Y 充電到1
: 1 1 off on Y 放電到0
: 0 1 on on 要看kp和kn的大小來判斷Y是充電或放電
: 1 0 off off Y 是高阻抗態
: 假設kn>kp,所以A:0 B:1 時 Y放電到0
: 由卡諾圖:
: ─────
: │B\A│0│1│ 請問高阻抗態時要怎麼在圖上列?
: ───── Y的式子要如何寫呢?
: │0 │1│?│
: ─────
: │1 │0│0│
: ─────
這邊基本上沒錯,但是高阻抗一般用Z,未定值一般用X
: ex.
: 0
: │
: │─
: A ─○││
: │─
: │
: │── Y
: │
: │─
: B ─││
: │─
: │
: 1
: 當A:0 B:0 → PMOS on , NMOS off → Y 放電到0 (MOS的Drain和Source可以互換)
: 1 1 off on Y 充電到1 (MOS的Drain和Source可以互換)
: 0 1 on on 要看kp和kn的大小來判斷Y是充電或放電
: 1 0 off off Y 是高阻抗態
: 假設kn>kp,所以A:0 B:1 時 Y充電到1
這裡應該沒錯
(但是kn>kp會充電到1這點有問題,基本上這種狀況就是X,
因為實際上不會到1,會在中間某點)
: ─────
: │B\A│0│1│ 同上面的問題
: ───── 請問高阻抗態時要怎麼在圖上列?
: │0 │0│?│ Y的式子要如何寫呢?
: ─────
: │1 │1│1│
: ─────
: ex.
: B'
: │
: │─
: A ─○││
: │─
: │
: │── Y
: │
: │─
: B ─││
: │─
: │
: A'
: 當A:0 B:0 → PMOS on , NMOS off → Y 充電到1
: 1 1 off on Y 放電到0
: 0 1 on on 要看kp和kn的大小來判斷Y是充電或放電
: 1 0 off off Y 是高阻抗態
: 假設kn>kp,所以A:0 B:1 時 Y充電到1
: ─────
: │B\A│0│1│ 同樣的問題
: ───── 請問高阻抗態時要怎麼在圖上列?
: │0 │1│?│ Y的式子要如何寫呢?
: ─────
: │1 │1│0│
: ─────
這個式子很詭異,正常電路絕對不會這樣接(這樣是自己找死)
除非確定A/B不會不同,要不然這個的output是鬼
: 最後還有個問題就是..
: 我看94年中興電機考的一個題目
: 考古題解答寫了一個化簡
: C
: │
: │─ C
: A ─○││ kp │
: │─ │─
: │ → A+B ─○││ kp/2
: │ │─
: │─ │
: B ─○││ kp Y
: │─
: │
: Y
: Y
: │
: ──── Y
: │ │ │
: │─ ─│ │─
: A ─││ kn kn ││─B → A+B ─││ 2kn
: │─ ─│ │─
: │ │ │
: ──── D
: │
: D
: 請問為什麼可以這樣化簡呢?
這個解答化簡說的不清不楚
會給看的人誤導
A+B的部分指的是他的邏輯表示式
kp/2 則是因為你兩個MOS串連自然的結果(如果導通時,等效k=kp)
至於2kn這點我很不以為然
那是在A跟B都是1的時候,他的等效k才是2kn
這在算delay上面是很重要的
對同樣的邏輯閘,每一種不同的input都會有相對應的tp
: 那是不是可以推廣成以下:
: C
: │
: │─ C
: A ─││ kn │
: │─ │─
: │ → A*B ─○││ kn/2
: │ │─
: │─ │
: B ─││ kn Y
: │─
: │
: Y
: Y
: │
: ──── Y
: │ │ │
: │─ ─│ │─
: A ─○││ kp kp │○│─B → A*B ─○││ 2kp
: │─ ─│ │─
: │ │ │
: ──── D
: │
: D
要這樣想實在不太好,雖然考試時這樣想很快
但是建議把數位邏輯為啥會那樣,電流流經哪些MOS
哪些導通哪些斷路弄通透
(一知半解總是不好的,他為啥要寫2kn,kp/2你要弄懂)
基本上對於串連的等效k我認同(差不多就是那樣,可以自己去導出公式)
但是對於並連的等效k我非常不贊同
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◢ υ◣ 老伴啊,我們的孩子孵不出來耶… 、〝◢ ◣ 嗚…我沒問題啊!
◢◣◢˙ ◣ 你到底吃了什麼? ((◢ ﹊﹊﹊ ◥╯ 是台灣的問題…
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◥ ◤ ╯ 〃◢◤◢◢◤◤◣◣
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◆ From: 122.116.95.114
推 Shiva:喔!!感謝板大,好詳細的解說! 11/15 21:42
→ Shiva:再請問一下高阻抗態指的是輸出狀態不變吧(因為沒電流過去)? 11/15 21:43
→ Shiva:那麼在卡諾圖上,要寫出式子時,Z不用圈起來囉? 11/15 21:43
→ Shiva:還有第二個ex 如果kn>>kp,輸出是不是也有可能到達1的範圍? 11/15 21:45
→ Shiva:就像pseudo-nmos,選kn>kp,當Vi=1時,Vo可以到0 11/15 21:48
推 CompileUltra:ex2. 我覺得就是一個未定的x AB都off 怎麼可能確定會 11/15 23:22
→ CompileUltra:到1呢? S大說的pseudo的狀況是P,NMOS同時開 那當然kn 11/15 23:23
→ CompileUltra:大所以勝囉~ 11/15 23:23