推 superdoai:如果是電流型控制 可以看一下Duty是不是有超過0.5 01/14 20:32
推 twyesman:感謝兩位的教導...^^ 01/15 23:59
※ 引述《twyesman (加持良治)》之銘言：
: 請問除了layout外,還有什麼方法可以降低產生的雜訊呢
我想你首先要先分清楚你說的雜訊是哪邊的雜訊
如果是因為開關硬切產生的Vds震盪，導致Vgs有小突波
那加snubber才可能有一點用途
: 震盪會因為雜訊產生諧振,變成輸出不穩定
我想你輸出電壓穩不穩定是跟你回授補償器的設計比較有關係
: RCD電路不曉得是不是我電阻電容值選錯
: 好像沒什麼效果,請問這有選擇的公式嗎
這書上都有，請自行參閱。
: (輸出24V/1A)
不知道閣下的開關操作頻率是多少kHz?
: mosfet的D-S加小電容,會造成無效損耗
: mosfe發燙
事實上這個觀念有問題，事實上如果Mos的Coss小
在以Buck為例，Mos turn off的瞬間(先不考慮飛輪二極體的非理想特性)
Coss上跨壓立刻會由0轉為Vin，事實上這種突發電壓將會與線路的漏電桿與Coss共振
這才是Vds會有spike的原因，固事實上Coss大一點是會讓你的Mos截止損失減少
最理想的開關狀態為 ZVS turn on，而turn off則希望Vds建立電壓緩慢
但是相對於Mos的turn導通損耗則會增加，因為增加額外的電容放電電流
但對於半導體材料而言，這增加的放電電流不要超過額定耐流就可以了
Rds on的值通常都很小，不大會有多大損耗
真正造成損失的大半都是switching loss
: IC直接控制mosfet G閘不會有這種溫度上升的情況
: 但是會有諧振的問題..控制變不確實
: Rg電阻加大降低Td,效果不錯
: 還不至於燙,不過mosfet溫度也是會上升
看你這樣描述應該就是硬切，Rg加大會讓你驅動Mos電流變小
相對米勒平台的長度也會變寬，增加更多switch turn on loss
當然MOS會更熱
: 請問這是必要的損耗嗎?
基本上如果你做Buck開關的Vgs應該會與你控制IC做一隔離
所以你要說Layout問題我絕得先不應該去考慮開關與控制訊號的連接上
應該是你整個主電路的地迴路以及回授跑線的問題(關鍵在於你說輸出電壓不穩)
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