※ 引述《newwrite (jikk)》之銘言：
: 在MOS電容器的CV curve中
: 反轉區(強反轉與弱反轉)
: 電容值為什麼會上升呢
: 很多書本上都沒有提及
: 請問各位 謝謝!
年代有點久遠了 所以我也不保證一定對
但所量得的電容其實是Cox跟inversion layer的電容的串聯
weak inversion時inversion layer的電容很小
所以量得的電容dominate為inversion layer電容
當strong inversion時inversion layer的電容變大了
所以量得的串聯電容變大 趨近Cox
希望對你有幫助
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