※ 引述《robertshih (施抄)》之銘言：
: 推 pow:阿要把RAM跟數位電路作在一個DIE裡面 當然不太可能有DRAM 04/24 01:43
: → pow:process通常都不支援吧 04/24 01:44
: → pow:省成本的話 就是省IO電路 省pin 還有省PCB的面積 04/24 01:45
: 抱歉 可以請您多說一點嗎
: 因為小弟只學過基礎的電子學 對於IC製程等等趨勢不甚了解
: 麻煩了 <(_ _)>
DRAM一是速度慢（比SRAM更慢）
二是要持續作電壓補償動作
如果你需要的記憶體不大的話
基本上做成6T-SRAM就好
因為電壓補償很麻煩~"~
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主要是現在DRAM的製程都跟SRAM不同了啊
你不管是TSMC, UMC, 中芯
誰家能把DRAM跟rf/mix-signal/pure digital process弄在一起？
SRAM則沒這個限制啊
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