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大家好 小弟在設計電路時,MOS 因為size比較大進到了Subthreshold region, 想請問這區的model 準嗎? 或是說我的電路操作在這區實際下線可行嗎? 電路是source follower 當buffer使用,要個大gm 煩請高手指點 謝謝!~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 59.112.208.159
jamtu:有人電路會故意操作在這一區嗎XD 06/11 23:45
bighead319:次臨界區,操作速度要非常慢吧,應用目標在? 06/11 23:53
vmaxticofat:工作頻率大約在100M左右 06/12 00:04
vmaxticofat:我也不想在這區押~可是buffer size大,很容易就進去了 06/12 00:06
windboy0620:準度一定比turn on區不準,因為他的電流是跨了好幾個 06/12 07:20
windboy0620:order的,想也知道不可能完全match... 還要看你MOS是 06/12 07:20
windboy0620:哪一種材料 06/12 07:21
windboy0620:Silicon算比較準一點的... 如果是TFT準確度可能更差 06/12 07:22
ery001:說點題外話,有些low power設計的確是會特別去用 06/13 00:47
ery001:subthreshold region 06/13 00:47
kafai:比如dc offset cancellation 要大gm 但頻寬很小,subth.reg 06/13 09:18
kafai:就會省POWER 06/13 09:18
sneak: 準度一定比turn o https://daxiv.com 11/11 15:11
sneak: //daxiv.com 01/04 21:57
sneak: https://daxiv.com 01/04 21:57