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: 1.郭瑞年主任 (國立清華大學/物理系)
: Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS
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: 以上我翻為：了解 元素"鍺"與第V-III族元素之MOSFET運用於Si CMOS製程
: 解釋為：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半場效電晶體)來用在積體電路製程上
: 問題：
: 1.為什麼III-V要反過來寫?
: 2.CMOS前面為何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圓?
: 3.MOSFET是算是一種方法? 而CMOS是一種完整製程?
幾位大大已經解釋過了，在此幫補。
Q1.筆誤?一般都習慣寫成III-V族
Q2.目前的積體電路都製作於矽晶圓上。用鍺(Ge)與砷化鎵(GaAs)，III-V族，比起作在
矽晶圓上，各有其用途上的優缺點。
Q3.MOSFET是一種電晶體的名稱，是一種元件。
CMOS則是使用NMOS與PMOS兩種元件來實現積體電路。
也就是說，有單獨使用NMOS或是PMOS製程技術來實現積體電路。
: 2.劉致為教授 (國立臺灣大學/電子工程學研究所)
: High Mobility Technologies and Physics
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: 翻為：高流動性之技術與其物理特性
: 解釋為：查了這位教授的研究領域
: {應變矽／high K／金屬閘．積體SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光電元件．MOS可靠度．SOI技術
: 問題：
: 1.什麼流動性技術?是說電子間的流動?
Mobility，中文翻譯成遷移率或移動率，包含電子與電洞。不同製程技術
(ex.使用Si or SiGe or GaAs晶圓，單就電子的移動率就差了好幾倍)
: 3.徐嘉鴻副研究員 (國家同步輻射研究中心)
: Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics
: Grown on Semiconductors
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: 翻為：奈米級厚度的高介電材料之結構特性對半導體的影響
: 解譯為：就是要探討奈米厚度的半導體介電材料
: 問題：
: 1.Grown on是翻成影響還是磊晶呢?
: 2.Nani-thick應該是指厚度吧~或是其他意思?
: 3.所以這材料如果以厚度來說，它是粒子or膜or?
Q1:成長於...
Q2.Nano-thick，奈米厚度
Q3.High-K Dielectrics，高介電系數材料。就是MOS縮寫中的O，oxide。
它是有厚度的。以往都是使用SiO2，但製程越來越小(.09um, .045um, 0.038um)，
漏電流逐漸變大，而使用High-K能減少漏電流
: 4.謝光宇 處長 (旺宏電子股份有限公司奈米科技研發中心)
: The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory
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: 翻為：挑戰並創新非揮發性記憶體
: 解釋為：旺宏是一家半導體商，所以要展示新型非揮發記憶體
: 問題：
: 非揮發性記憶體(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料
: 並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料的記憶體
: 1.快閃隨身碟就是此類型，想問的是一般桌機用的DDR-RAM
: 是(volatile)類的，不是(Non-volatile)沒錯吧?--
: 2.目前non-volatile多用於MP3隨身聽，FLASH記憶體等隨身攜帶之產品是嗎?
謝光宇，以前我學校材料所的老師，固態物理是他的強項。
Q1.旺宏作的是Non-volatile (像在Wii中，有使用Mask Rom)。
快閃隨身碟(flash disk)是屬於Non-volatile memory沒錯，但Flash有分為NOR
與Nand type，前者為 code-storage，後者為data storage。MP3隨身聽用的是後者。
Q2.承上，FLASH記憶體不止應用在攜帶之產品(portable product)，像桌上型電腦中的
CMOS，桌上機，手機，硬諜.....裡頭都有flash，這邊就是屬於前者。
: 5.邱雅萍助理教授 (國立中山大學/物理系)
: Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100)
: by STM
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: 翻為：用STM直接研究Gd2O3(氧化釓)附在GaAs(砷化鎵?)上之介面結構
: 問題：
: 1.STM是指掃描穿遂電子顯微鏡(scanning tunneling microscope)
: 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置?
: 3.這可能是材料的問題，物理系也有做這一類研究的主要研究導向是?
Q1.是的，可用於材料表面分析。
Q2.(xyz)為密勒指數(Miller indices)，為界定晶體中不同平面的方法。
Z
∣
∣
████＿＿＿＿ Y
████
／ ████
X
(100)表距離X軸為1且平行於YZ平面。
: 6.黃懋霖博士 (國立清華大學/材料科學工程學系)
: Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation
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: 翻為：原子層沉積(磊晶)於高相對介電係數之InGaAs(銦鎵砷?)上做為保護層
: OR
: 在InGaAs上沉積高介電材料原子層以做保護層(表面鈍化)
: 問題：
: 1.InGaAs是指元素還是這是一個專有名詞?
: 2.high k也是高介電材料的意思?
Q1.InGaAs: 砷化銦鎵，它不是元素，是一種三元化合物，即In, Ga, As三種元素形成的
化合物。
Q2.High K就是高介電材料的簡稱.。K就是介電系數。
deposite是沉積，epitaxy是磊晶，真的要區分的話是不太一樣的。
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對流血一週仍然不死的生物千萬不能大意……。
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