作者Lary (PTTuser)
看板Electronics
標題Re: [問題] 有關爾利效應的選擇題
時間Tue Sep 15 00:06:36 2009
※ 引述《kurama1984 (斷顏殘臂)》之銘言：
: MOSFET 中厄利效應（Early Effect）最主要之成因為何？
: A.基板和閘極之間的p-n 接面 B.閘極和源極之間空乏區互相影響
: C.通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響 D.崩潰效應
: ans:c
: 查了資料都沒講到閘極和汲極的影響，請問C的答案是怎麼影響的？
BJT一般都操作在
base-emitter順偏
base-collector逆偏
假設今天沒有Early effect
collector current與Vce應該是無關的
但是當Vce變大(collector對base逆偏越大)時
collector-base的depletion region會隨逆偏電壓變大
(怎麼算有點小複雜 請看大施敏或小施敏)
這時collector到emitter之間的距離就變小了
因為minority carrier的濃度不變
minority carrier life time也不變
但是diffucion length變短了
所以電流就變大了
這就是Early effect
有點像是MOSFET裡的short channel effect
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◆ From: 123.195.37.160
→ Lary:突然知道你為什麼查不到了 因為Early effect是BJT的不是MOS 09/15 00:09
→ Lary:竟然打完這麼多字才發現... 09/15 00:10
推 deathcustom:不是short channel effect, 是channel length modulat 09/15 00:28
推 deathcustom:sce指的是說隨著L變小，Vth也會在某個長度後開始變小 09/15 00:30
推 edpan:應該是通道長度調變效應 只是結果跟EARLY EFFECT很像 09/15 01:21
→ edpan:因為以NMOS為例 如果你將他設定在sat.也就是說V>Vt 當Vt越大 09/15 01:22
→ edpan:它實際上產生的channel length會越短 09/15 01:23
→ edpan:我好像講錯了~"~...應該說V>Vt後就會產生一條通道 此時你再 09/15 01:25
→ edpan:將Vd慢慢增加 那channel length會越來越短 那Id就會漸增 09/15 01:27
推 jamtu:結果跟early effect其實一樣，都是model成線性 09/15 02:47