→ kurama1984:好玄的講法，不是很懂 09/19 19:58
→ kurama1984:你說的暫時消失好像是有這個東西，但我的書都沒寫清楚 09/19 20:04
→ kurama1984:只說讀完感應器會為CS更新，這個時間點算資料消失是吧 09/19 20:06
我想他說的是讀取的那一瞬間會不會消失
破壞式讀取資料確實會"暫時"消失
※ 引述《deathcustom ()》之銘言：
: ※ 引述《kurama1984 (斷顏殘臂)》之銘言：
: : 關於如圖所示之動態隨機存取記憶元（DRAM cell）之敘述，何者錯誤？
: : A猨寫入時電晶體導通
: : B獏讀取後儲存資料即消失
: : C獱當電源移除後，儲存資料即消失
: : D斅電容大小不影響讀取訊號
: : ans:D
: : 再請問一次會不會消失～"～,
: : 有點浪費版上資源問兩次
: : 電容大小如何影響讀取信號？
: 簡單獎就是Sense Amplifier Reading Circuits的操作
: 對SRAM、DRAM都差不多
: 讀取完的時候都會把原來的資料重新寫回去
: 所以讀完資料不會消失
: 然而如果儲存資料的電容太小
: 則讀取時分到Cb上面的電壓變化會太小
: 讀取的時間跟這個變化的大小有關(Vout = V' exp(t/T) 這類的關係，詳細請看Smith)
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◆ From: 24.6.16.11