作者deathcustom ()
看板Electronics
標題Re: [問題] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了！感謝！
時間Mon Sep 21 18:12:12 2009
※ 引述《yingda1004 (阿達)》之銘言：
: 由於之前都用CIC的虛擬製程.這是第一次用真的製程所以我完全沒有頭緒.請各位前輩幫
: 幫忙.謝謝
: 我LAY完一個子電路後跑DRC.但它出現以下幾個錯誤...（幾乎都是同一類錯誤.超多）
: 1. DOD.R.1 {@ DOD is a must. DOD CAD layer must be different from OD's.
: CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DOD }
: 2. CSR.R.1.NWi {@ NWi is not allowed inside the empty area of chip corner.
: EMPTY_AREA AND NWi }
: 3. DUTM.R.1 {@ DUTM is must. The DUTM CAD layer must be different from the
: UTM CAD layer.
: CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DUUTM }
: 麻煩了！
DOD, DUTM應該分別指的是dummy diff跟dummy top metal(應該吧？)
大概你dummy跟正常的金屬重疊了
你開highlight看看
至於CSR......你還沒做全部的時候暫時不用管o.o
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◆ From: 122.116.95.114
推 yingda1004:再次感謝D大!!可是我根本沒畫DUMMY呀?再請問一下D大 09/21 19:10
→ yingda1004:像加DUMMY.在子電路是不是也可以先不要理它?最後到CHIP 09/21 19:11
→ yingda1004:層在補就好了??感恩!! 09/21 19:12
→ yingda1004:還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的w等 09/21 19:13
→ yingda1004:變小.跟不用finger.w很大.有什麼差?如果不考慮noise. 09/21 19:15
→ yingda1004:也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的? 09/21 19:15
推 cpt:finger數多 寄生電阻電容都變低 頻寬變高 但壞處是W variation 09/22 05:11
→ cpt:可能也會變高 09/22 05:11
→ yingda1004:為什麼W variation會變大??不是平均也會平均變異嗎?? 09/22 08:27
→ yingda1004:謝謝C大 09/22 08:27
推 cpt:假設total W=10um, variation造成內縮0.1um => 等效W=9.9um 09/22 11:05
→ cpt:改成4個finger, 2.5um each, 同樣的variation (del_W=-0.1um) 09/22 11:06
→ cpt:等效W=4*(2.5um-0.1um)=9.6um 09/22 11:07
→ cpt:不過通常還是以降低寄生效應為優先 variation另外想辦法補救 09/22 11:09
推 yingda1004:感謝C大的解說!! 09/22 12:59
推 yingda1004:頻寬真的爆了...要怎麼補救= = 09/23 22:28