推 powerdown:Gain=gmro=2VA'(KnI)^1/2/I=2VA'(uCWL/2I)^1/2 當WL給定 03/25 02:09
→ powerdown:偏壓電流I愈弱，則Gain愈大且最大值發生在次臨界導通時 03/25 02:13
→ powerdown:這樣說明應該沒錯，實際用HSPICE模擬也是如此 03/25 02:15
→ powerdown:至於power是否與穩定度有關我不清楚，VDD會影響電路的 03/25 02:17
→ powerdown:Swing而間接影響SNR，Noise Vlotage正比於(gm)^1/2 03/25 02:19
→ powerdown:不確定是否有回答道你的問題??請多指教!! 03/25 02:20
→ Gocoba:看看Id/Vds的圖你就會知道電流越小gain越大是錯的離譜 03/25 04:08
→ Gocoba:搞不好連transistor都沒有on怎麼去放大訊號 03/25 04:09
推 pow:原本就是Id越小 gain越大阿 只是沒有電流就沒有slew rate阿 03/25 08:27
→ Mauder:首先 以你的方法可以解釋降低電流增加gain會產生GBW降低 03/25 12:35
→ Mauder:穩定度也是一個考量 單純將gain增加但是沒有將pole推遠 最 03/25 12:36
→ Mauder:後必定遇到phase margin不夠的問題 另外如果把電流降低 03/25 12:36
→ Mauder:noise會上升 slew rate下降這前面大大都已經提到 都是需要 03/25 12:39
→ Mauder:考量的 另外將電流降低為了維持一樣的vdsat 必須要把電晶 03/25 12:43
→ Mauder:體size變小 過頭也會造成matching的問題 03/25 12:54
推 Mauder:而如果你使用cascode 確實GBW會一樣 但那是在一樣的電流下 03/25 13:12
→ Mauder:加了cascode只是拿3dB bandwidth去換gain 其餘的特性還是跟 03/25 13:21
→ Mauder:前面討論的一樣 電流變小GBW還是變小 03/25 13:22
→ jamtu:感謝樓上們的解釋～～～～ 03/26 00:11
→ jamtu:我又通一層了XD 03/26 00:11