[問題] 半導體

[h816090 (～Argon～)]

有三個關於半導體的問題想要請教一下

1. 拿pn junction去做solar cell，照光去打~產生電子電洞對

拉出來產生電流

那如果加熱~溫度很高~一樣會產生電子電洞對~為什麼量不到電流呢?

都有pn junction~為什麼加熱這個方法卻行不通呢?

2. 不管是蒸鍍鋁或是e-gun鍍金或銀

為什麼看的是融點~而不是沸點呢? 不是要使金屬揮發成氣體~在去鍍嗎?

怎麼大家都是在談融點呢?><"

3. 在蝕刻時~(111)面速度比(110)面慢~可是為什麼面原子密度卻是

(110)面比較大呢?~照理說面原子密度大的~蝕刻速度慢~這點沒錯吧?><"

算原子密度不是正好可以去判斷蝕刻時的快慢嗎?  謝謝

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◆ From: 61.231.150.43
推 bruan43:1.必須由光子產生的能量=hv才能產生電流.
→ bruan43:2.蒸鍍的材料一般是固態顆粒狀,因此考慮的是熔點.
→ bruan43:3.沒記錯的話,111面比110面的原子密度大,蝕刻會較110面慢.
→ bruan43:以上是我個人淺見,不對之處請指教包涵... ^^
→ h816090:111面原子密度比110面小喔  我是指材料Si謝謝