※ 引述《jfsu (水精靈)》之銘言：
: : 1.參數應該是沒問題 2.bjt電路 http://uploadpie.com/tk7cz
: 開不起來~~ >"<~~
: 另外，我想看你的BJT model
: : 3.約靠近1.19V左右 點35製程
: 0.35um 用傳統的 BJT bandgap 1.2V應該是沒問題。(雖然我沒看到電路圖)
: : 4.從list來看工作好像都正常
: : ***bamdgap_2***
: : .lib 'mm0355v.l' tt
: : .lib 'mm0355v.l' bip
: : vdd vdd gnd dc 3.3v
: : m1 1 1 4 gnd nch w=30u l=3u
: : m2 2 1 3 gnd nch w=30u l=3u
: : m3 1 2 vdd vdd pch w=30u l=3u
: : m4 2 2 vdd vdd pch w=30u l=3u
: : m5 vo 2 vdd vdd pch w=30u l=3u
: : q1 gnd gnd 4 pnp10 area=1
: : q2 gnd gnd 5 pnp10 area=8
: : q3 gnd gnd 6 pnp10 area=8
: Emitter的面積是多少呢？area=8應該是它的倍數吧~
: 這非常重要
: : r1 3 5 1.16k
: : r2 vo 6 10.13k
: 建議你的電阻最好也加上溫度係數。
: 找找model裡的，然後引入。
: 可以的話，看能不能知道是poly還是diffusion，帶入長與寬
: 例如:
: r1 3 5 LN w=10u l=116u
: ^^^^表N-type diffusion 電阻(N+ in P-well,片電阻約100/口)
: : .op
: : .dc temp -20 80 1
: : .print v(vo)
: : .end
: : Vref=vbe3+(R2/R1)VT*ln(n)......這樣應該是對吧....(1)
: : VT*ln(n)=0.053....忘記怎麼算出來
: vbe3是負溫度系數, (R2/R1)VT*ln(n)是正溫度係數(PTAT)
: 所以你必須先知道PTAT溫度系數是多少，假設是-1.5mV/K 好了
: 依公式:
: (R2/R1)VT*ln(n)對溫度的偏微分之後
: 1.5mV/K = (R2/R1)*0.085mV/K*ln(10)，在此我們取n = 10
: R2/R1 = 7.66
: R1 = Vt*ln(n)/I = 0.0259*ln(10)/42u = 1.419K
: R2 = 10.86K
: 看起來我們的結果是差不多的。
: anyway，BJT的model我想先看看~
: : 如果從第(1)式來看左右移相後再取e可以得到n的值,e的n次方是非常大的
: : 所以我比較好奇的是不是因為跟e有關造成解析度的問題...
製程檔第20頁有寫到pnp10
Emitter area = 10 * 10 = 100 um2
後來我把他換成pnp5,他的面積比較小結果解析度有提高
pnp 5x5
Emitter area = 5 * 5 = 25 um2
PTAT溫度系數是-1.71mV/K(取斜率算出)
為什麼會跟面積有關?
bandgap除了這個還需要特別注意什麼嗎?
poly跟diffusion做的電阻差別是?
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