[問題] HSPICE 如何改善反應時間

[xxxorc (hghg)]

這是我的程式   想請問大家有什麼地方可以修改讓反應時間更快


********       NAND            ***********
********PMOSFET W:0.80 L:0.18***********
********NMOSFET W:0.40 L:0.18***********
.lib 'C:\synopsys\sample\mm018.l' TT

********** Parameters ************
.global Vdd Vss 0
.param vdd=1.8
.param vss=0
.param lambda=0.09u
.param def_w='4.45*lambda'
.param def_l='2*lambda'
.param loadce=100f
.param ratio=2

********** Devices and sub-circuits ************
.subckt NTRAN d g s b wn='def_w' ln='def_l'
m1 d g s b nch w='wn' l='ln'
.ends

.subckt PTRAN d g s b wp='def_w' lp='def_l'
m2 d g s b pch w='wp' l='lp'
.ends
**************************************************



x1  out  in2 node    0 NTRAN w=wn   l=ln
x2  out  in2  vdd  vdd PTRAN w=2wp  l=lp
x3 node  in1   0     0 NTRAN w=wn   l=ln
x4  out  in1  vdd  vdd PTRAN w=2wp  l=lp


VIN1 in1 0 pulse 0.1 2 2n 0 0 5n 10n
VIN2 in2 0 pulse 2 0.1 2n 0 0 1n 2n
VDD  vdd 0 1.8v
.ic (vin)=0

.options post=2 nomod
.op
.tran 0.1n 20ns
.print tran v(in) v(out)
.end

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◆ From: 220.143.157.206
→ rxjtg:你所謂的反應時間是指delay time還是 rise fall time..
推 ryanchen:nand gate 的 NMOS 組態是串聯的,想要有比較對稱的delay
→ ryanchen:你要加大 NMOS 的 W 為2wn! 還有mos已經是最基本的元件了
→ ryanchen:包成子電路是有什麼特殊涵義嗎?
推 mos888tw:這個是範例檔吧? 建議你自己從頭寫到尾
→ xxxorc:真的很感謝大家的回答，讓我收穫不少   我也順利改善了
→ wuandy10:嗯加大w就行 ry大正解