[問題] mosFET的問題

[wrt (一片小蛋糕)]

1. body effect

為何在body端加一個負電壓  會使Vt上升

如果在body加負電壓  電子應該會被排斥到oxide接觸面

使得Vt需要吸引得電子變少才對啊
(因為body的負電已經排上去很多電子了)

所以Vt應該要下降才是啊

使得Vt需要吸引得電子變少才對啊
(因為body的負電已經排上去很多電子了)
(因為body的負電已經排上去很多電子了)

所以Vt應該要下降才是啊

為何是上升呢?



2.short channel effect 和 channel length modulation

  這兩個是在說一樣的東西嗎??

前者是在說VD電壓上升  使Vt變小

後者在說在飽和時 VD電壓上升 電流還是會些微變大

這兩個我怎麼看都是在說一樣的東西啊

只是一個是非飽和一個是飽和狀態下

電流變大不就是等於Vt下降嗎?

觀念有點不清楚  請高人解答  感謝

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 220.135.174.152
推 Williamette:不知道你在問什麼...body加負電壓本來Vt就會下降啊
課本上寫body加負電壓  Vt會變大@@

推 stevegood:你應該去修電路設計的課　不然就看看書也有吧
※ 編輯: wrt             來自: 220.135.174.152      (11/14 23:25)
推 joy830:我想1F是對的
推 kb76628:NMOS和PMOS不一樣
→ kb76628:NMOS body加負電壓,Vt上升;PMOS body加負電壓,Vt下降
對  不好意思 我說得是nMOS  為什麼呢?
※ 編輯: wrt             來自: 220.135.174.152      (11/15 01:21)
推 hgvxd:好像是逆偏電壓使空乏區變大的關係使Vt上升?我記得書上有寫
→ hgvxd:去翻看看吧~