[問題] 關於電容的問題

[perolly (^^)]

有個關於電容的問題

在一般的S/H電路中

    M1  +-
---/ ---||------gnd

這樣當M1關掉時

在channel的charge會跑到電容的+端造成sample的電壓改變

就是所謂的charge injection


而在比較先進的技術中 會有所謂的bottom smapling的技術就是讓

    M1  +-
---/ ---||------

原本的gnd端變成floating

這樣很多文獻以及書籍都說因為右邊點floating了

所以在電容上的電壓不會變 所以charge injection的效應可以減低

我ㄧ開始的想法是 floating可以視為電阻無限大

電荷就不會往這路跑過來

但後來想想

電容的中間不是本來就是絕緣體嗎?

而且電容兩端電壓的定義是V=Q/C

應該是因為兩端有電荷累積 才造成電壓變化

所以文獻解釋的前提應該是電荷不會跑到+端  電壓不會改變


但我想的疑問是為啥電容-端段路 電荷不會跑到正端呢??

感覺-端的電荷不會變這是ok可以理解的

但有可能M1的charge跑到+端不是嗎??


感謝大家~

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 211.75.121.126
推 jsp0520:M1的charge在電容floating時無法跑道的正端,因為另一端為
→ jsp0520:浮接,無法從外界吸引到對應的負電荷
→ jsp0520:這樣的方法仍會受到bottom switch關閉時的charge所影響
→ jsp0520:不過此時的charge為 input-independent, 仍會造成
→ jsp0520:DC offset但不會造成線性度的衰減
→ perolly:感謝樓上^^