推 mmonkeyboyy:推 ~寫得好 :D 06/08 00:37
推 jsp0520:原PO是博士班的學生?? 06/08 12:45
→ jamtu:我只是小碩一... 06/08 14:06
推 victor21835:推 超強! 06/08 18:38
→ jsp0520:只是看到你在PHD板的推文,想說問一下 06/09 14:30
→ sensitivity9:非常感謝! 06/17 17:31
現在的MOS model非常複雜
電子學課本所學的公式早就已經不適用了
但是趨勢不變，VGS增加與W/L增加仍然會導致電流增加
從netlist裡面得到的小信號參數觀念仍然適用
每跑一次DC去抓裡面的gm,gds,以及電容值仍然是很有用的
有關於OP電路裡面的每一個偏壓點要怎麼給
請自己參考書本裡面有關偏壓電路的部分
Martin裡面關於偏壓電路的描述非常詳盡
偏壓電路可以給出穩定的電流與穩定的電壓，利用diode-connected的特性
W/L不需要太多的微調
在實際的應用中，W/L調再準最後也會跑掉 (雖然你得先調準)
如果是雙端輸出，high-impedance的點還是要接CMFB
另外在低電壓低電流(uA level)的應用中
常常VGS < VTH，此時MOS進入weak inversion
利用Vov的計算去設計電路是有問題的
所謂的lambda也會隨著L而改變，不再像電子學一樣是個定值
L給越大，channel length的改變就越不明顯，ro也會越大
所以不要嘗試從大信號的角度去推算小信號參數
而是你給了一個大概的電流，再去取出小信號參數，看符不符合需要
一個二級的OP放大器
第一級不會給太多的電流，此時gmro的乘積會比較大，得到比較高的DC gain
代價可能是電路內部的一些pole往前移，限制了高頻寬的應用
第二級由於要推電容，必須要有很高的gm，要有很大的電流
OP的設計學問實在是太大了，我也只對我比較常用的稍微有研究而已
給你參考
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