推 gauss760220:順偏時 空乏區的能帶變平緩 此時內建電場變弱 07/22 15:31
→ gauss760220:致使擴散能力強過漂移能力 07/22 15:32
→ gauss760220:第二題 順偏時 空乏區會變窄 不是變寬 所以空間電荷 07/22 15:33
→ gauss760220:減少 空乏電容=E*A/d E為permittivity A為面積 07/22 15:34
→ gauss760220:d為空乏區寬 07/22 15:35
→ gauss760220:因為d會縮小 所以空乏電容會變大沒錯 07/22 15:35
→ gauss760220:通常修過半導體物理 對這裡會更熟 07/22 15:36
※ 編輯: amei2569 來自: 125.231.96.204 (07/22 16:28)
→ amei2569:請問為何不是代Q=V*C 公式 電荷下降電容也下降 謝謝 07/22 16:32
→ amei2569:修正內容了 07/22 16:33
→ andy12367892:這裡不是要帶那個公式吧 這是半導體元件耶... 07/22 16:44
→ andy12367892:而且電荷有正也有負 不能直接帶Q=V*C 個人淺見 07/22 16:46
推 mos888tw:1.P type N type載子不均 克服能階障礙之後因濃度不均所 07/22 17:13
→ mos888tw:以具擴散電流，因兩端有電場驅動載子 所以有漂移電流 07/22 17:14